【摘 要】
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本文介绍了一种用CMOS工艺实现的对温度和电源电压变化不敏感的片上张弛振荡器.文中提出了一种降低张弛振荡器频率波动的补偿技术,该技术克服了传统补偿方法受到片上电阻温度
【机 构】
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复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
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本文介绍了一种用CMOS工艺实现的对温度和电源电压变化不敏感的片上张弛振荡器.文中提出了一种降低张弛振荡器频率波动的补偿技术,该技术克服了传统补偿方法受到片上电阻温度特性制约的缺点,极大地提高了振荡器输出频率的稳定性.测试结果表明,当电源电压从1.62 V变化到1.98 V时,振荡器输出频率变化±0.11%;当温度从40℃变化到125℃时,输出频率变化±0.24%.相比于传统方法,频率波动降低了大约2/3.该振荡器采用TSMC 180nm 1P5M工艺实现,电源电压为1.8V.当工作在
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