【摘 要】
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采用反应烧结工艺,通过改变烧结温度,制备出了一系列不同烧结温度下(1600,1630,1660和1690℃)的SiC多孔陶瓷粉体.通过XRD、SEM、气孔测试、压缩强度测试和油水分离测试等,对SiC多孔陶瓷的物相结构、微观形貌、孔隙率、力学性能等进行了表征.结果表明,随着烧结温度的升高,SiO2的特征衍射峰强度逐渐升高,在1690℃时SiO2的特征衍射峰强度最高;SiC多孔陶瓷的气孔随温度升高呈现出先降低后增加的趋势,在1660℃时气孔率最低为32.1％;SEM分析发现,1600和1630℃下烧结的SiC
【机 构】
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苏州科技大学 环境科学与工程学院,江苏 苏州 215009
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采用反应烧结工艺,通过改变烧结温度,制备出了一系列不同烧结温度下(1600,1630,1660和1690℃)的SiC多孔陶瓷粉体.通过XRD、SEM、气孔测试、压缩强度测试和油水分离测试等,对SiC多孔陶瓷的物相结构、微观形貌、孔隙率、力学性能等进行了表征.结果表明,随着烧结温度的升高,SiO2的特征衍射峰强度逐渐升高,在1690℃时SiO2的特征衍射峰强度最高;SiC多孔陶瓷的气孔随温度升高呈现出先降低后增加的趋势,在1660℃时气孔率最低为32.1％;SEM分析发现,1600和1630℃下烧结的SiC多孔陶瓷中的小颗粒较多,且SiC多孔陶瓷的颗粒较为分散,随着烧结温度的升高,小颗粒相逐渐减少,SiC多孔陶瓷整体逐渐收缩紧密,晶粒逐渐长大.力学性能分析表明,随着烧结温度的升高,SiC多孔陶瓷的压缩强度先升高后轻微下降,在1660℃时压缩强度达到了最大值25.6 MPa.油水分离测试发现,随着烧结温度的升高,SiC陶瓷的膜通量出现了先降低后有略微升高的趋势,截留率出现了先升高后轻微降低的趋势,在烧结温度为1660℃时,膜通量最低为553.8 L/(m2·h),截留率最高为91.5％.
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