论文部分内容阅读
在内孔HFCVD金刚石薄膜沉积过程中，沉积温度(t)、碳源浓度(φ)、总反应压力(p)和气体总流量(F)等沉积参数对金刚石薄膜的生长具有显著影响。采用Taguchi方法系统研究这4个关键参数对内孔HFCVD金刚石薄膜性能的综合影响，并且通过自定义的品质因数(figure-of-merit, FOM)评价金刚石薄膜的综合性能。沉积温度、碳源浓度和总反应压力对于内孔HFCVD金刚石薄膜的各项性能及FOM均存在显著影响，并且与平片或外表面沉积存在一定的差异。根据上述影响性分析的结果，以获得最佳的内孔HFCVD金刚石薄膜综合性能为优化目标所确定的最优化沉积参数为：t=830°C，φ=4.5%，p=4000 Pa，F=800 mL/min。