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介绍了AlGaN/GaNHEMT器件的研制及室温下器件特性的测试 .漏源欧姆接触采用Ti/Al/Pt/Au ,肖特基结金属为Pt/Au .器件栅长为 1μm ,获得的最大跨导为 12 0mS/mm ,最大的漏源饱和电流密度为 0 95A/mm .
AlGaN/GaN HEMT器件的研制
【摘 要】
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介绍了AlGaN/GaNHEMT器件的研制及室温下器件特性的测试 .漏源欧姆接触采用Ti/Al/Pt/Au ,肖特基结金属为Pt/Au .器件栅长为 1μm ,获得的最大跨导为 12 0mS/mm ,最大的漏源饱
【机 构】
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北京工业大学电子信息与控制工程学院; 南京固体器件研究所; 南京固体器件研究所 北京100022; 北京100022; 南京210016; 南京210
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2003年08期
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