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本文设计和研究了与n阱CMOS工艺兼容的高精密CMOS能隙基准源电路。该电路实现了全温度曲率补偿,降低了运放失调电压对精度的影响。理论上证明,具有极好的温度特性。SPICE模拟表明,精度可达到<3ppm/℃,实验芯片亦达到预期结果。
高精密CMOS能隙基准源的研究
【摘 要】
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本文设计和研究了与n阱CMOS工艺兼容的高精密CMOS能隙基准源电路。该电路实现了全温度曲率补偿,降低了运放失调电压对精度的影响。理论上证明,具有极好的温度特性。SPICE模拟
【机 构】
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清华大学微电子所,清华大学微电子所北京100034,北京100034,北京100034
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1992年4期
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