【摘 要】
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采用机械合金化结合冷等静压的方法制备了Co4-xFexSb12化合物,探讨了Fe掺杂对化合物热电性能的影响;利用基于密度泛函理论赝势平面波的方法对Fe掺杂前后的CoSb3的电子结构进
【机 构】
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南京航空航天大学材料科学与技术学院
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采用机械合金化结合冷等静压的方法制备了Co4-xFexSb12化合物,探讨了Fe掺杂对化合物热电性能的影响;利用基于密度泛函理论赝势平面波的方法对Fe掺杂前后的CoSb3的电子结构进行了计算。结果表明：在Co4-xFexSb12化合物中Fe的固溶极限x在0.3-0.5之间;CoSb3的费米面位于导带和价带之间,其电阻率随温度的升高而降低,为非简并半导体;Fe掺杂后费米面进入价带,使其成为p型简并半导体,电阻率较掺杂前大大降低并随温度的升高而增加;本实验条件下,Co3.7Fe0.3Sb12化合物的功率因子在
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