【摘 要】
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本文研究了Ti衬底与A1膜(1.25～1.35μm)间,在温度580～800℃反应时,金属、TiAl及Ti_3Al相层生长规律,并用Boltzmann-Matano-Heumann和Wagner方法计算了Al在化合物中的互扩散系数
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本文研究了Ti衬底与A1膜(1.25～1.35μm)间,在温度580～800℃反应时,金属、TiAl及Ti_3Al相层生长规律,并用Boltzmann-Matano-Heumann和Wagner方法计算了Al在化合物中的互扩散系数和扩散激活能,找出了扩散系数随温度和时间的变化规律,计算结果表明,A1在TiAl及Ti_3A1中的扩散激活能分别为0.82±0.1eV和0.65±0.1eV。
In this paper, the growth of metal, TiAl and Ti_3Al phase layer between Ti substrate and Al film (1.25 ~ 1.35μm) was investigated at 580 ~ 800 ℃. The effects of Al on the growth of compound Diffusion coefficient and diffusion activation energy were calculated. The diffusion coefficient with temperature and time was found. The calculated results show that the diffusion activation energies of A1 in TiAl and Ti_3A1 are 0.82 ± 0.1eV and 0.65 ± 0.1eV, respectively.
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