功率MOS场效应晶体管的通态压降一定比普通双极晶体管的大吗?

来源 :电气技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhouxubo

【摘要】

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由于功率MOSFET(MOS场效应晶体管)体内没有引入电导调制机制,其基区电阻得不到注入电流的调制.特别是它的通态电阻RDSon随其耐压的2.5次方成比例急剧增大.所以,人们通常认为,

【作者】

：

郑媛

【出处】

：

电气技术

【发表日期】

：

2006年7期

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由于功率MOSFET(MOS场效应晶体管)体内没有引入电导调制机制,其基区电阻得不到注入电流的调制.特别是它的通态电阻RDSon随其耐压的2.5次方成比例急剧增大.所以,人们通常认为,功率MOSFET的通态压降比同电压等级的普通双极晶体管要大,甚至大得多.功率MOSFET难得在高电压大功率场合下应用.这是有一定道理的.……

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