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建立化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing,简称CMP）的润滑流场三维模型,使用商用CFD软件Fluent对其流场进行数值模拟,可以看出CMP润滑流场的速度分布对晶片表面抛光有重要影响.通过对照数值模拟结果和理论值,表明使用Fluent仿真CMP的流场是合理可行的,为优化机械抛光的材料去除率和表面平整度提供理论支持.