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采用共沉积技术制备了AgTCNQ薄膜，并进行了红外、紫外光谱表征．利用微电子工艺制备了基于AgTCNQ薄膜的有机双稳态器件．研究发现，Ti／AgTCNQ／Au双稳态器件具有可逆、可重复的开关存储特性．将器件从初始的高阻态转变为低阻态的正向开关阈值电压为3．8～5V，将低阻态转变为高阻态的负向阈值电压仅为-3．5～-4．4V，与通常的CuTCNQ器件相比较小．这种基于AgTCNQ交叉结构的有机双稳态器件可应用于非易失性有机存储器．