【摘 要】
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利用超高真空电子束蒸发技术在GaAs(100)上生长Mn/S b多层膜,并经短时间热退火处理分别研究了其退火前后的磁性、磁光克尔效应及相应规律. 退火前Mn/Sb膜在室温下即具有较强
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利用超高真空电子束蒸发技术在GaAs(100)上生长Mn/S b多层膜,并经短时间热退火处理分别研究了其退火前后的磁性、磁光克尔效应及相应规律. 退火前Mn/Sb膜在室温下即具有较强的铁磁特性,其易磁化轴在膜面内,样品表面由密集的岛 状铁磁颗粒组成,未能观测到纵向(H∥平面)克尔效应.经350℃、20min退火的样品显示 了最大饱和磁化强度Ms和最小矫顽力Hc,X射线衍射测量表明膜为MnSb单晶并具有均匀的 铁磁特性,能观测到显著的极向和纵向磁光克尔效应,其随磁场变化表现出相应于磁化强度的 磁滞行为.
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