非易失性半导体存贮器

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<正> 与传统的磁芯存贮器相比,半导体存贮器在体积、成本等方面占有明显优势,因此自70年代初期间世之后,立即在各种计算机系统,特别是微机系统中获得广泛应用。然而常规的半导体存贮器件也各有其固有弱点:RAM器件一旦断电便无法存留数据,EPROM则在重编程前必须先用紫外线灯照射20分钟之久。为此,近年来又相继开发出许多既能避免数据丢失又能随时修改内容的新器件,主要包括电池支持式SRAM、非易失性SRAM、全功能
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