【摘 要】
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采用包埋法在碳/碳（C/C）复合材料表面制备出不同致密度的SiC涂层,用正交试验法系统研究了包埋温度（A）、包埋时间（B）、烧结助剂Ⅰ含量（C）、烧结助剂Ⅱ含量（D）、硅含量（E）等工艺参数对SiC涂
【机 构】
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西北工业大学超高温复合材料实验室碳/碳复合材料工程技术研究中心,西安石油大学材料科学与工程学院
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采用包埋法在碳/碳（C/C）复合材料表面制备出不同致密度的SiC涂层,用正交试验法系统研究了包埋温度（A）、包埋时间（B）、烧结助剂Ⅰ含量（C）、烧结助剂Ⅱ含量（D）、硅含量（E）等工艺参数对SiC涂层抗氧化性能（用抗氧化性能表征涂层的致密性）的影响。结果表明:研究的包埋工艺参数对SiC涂层抗氧化性能（致密性）影响的显著性从大到小依次为A,C,E,D,B;在A1 B1 C1 D1 E1工艺条件下所得的SiC涂层最疏松;通过改进参数,在A3 B2 C4 D2 E4工艺条件下所得的SiC涂层最致密,该涂层可在1 500℃空气中提供10 h以上的抗氧化保护。
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