【摘 要】
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用气相淀积方法,在P型CuGaS_2上外延n型CdS,制成了异质二极管。典型的二极管在正向偏压下发绿光,外部量子效率在77°K时为0.1％,在室温时为0.001％。辐射复合是由于电子注入到CuG
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用气相淀积方法,在P型CuGaS_2上外延n型CdS,制成了异质二极管。典型的二极管在正向偏压下发绿光,外部量子效率在77°K时为0.1％,在室温时为0.001％。辐射复合是由于电子注入到CuGaS_2中引起的。
Using a vapor deposition method, an n-type CdS is epitaxially grown on a P-type CuGaS 2 to fabricate a heterojunction diode. A typical diode emits green light at forward bias with an external quantum efficiency of 0.1% at 77 ° K and 0.001% at room temperature. Radiation recombination is caused by the electron injection into CuGaS_2.
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