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采用考虑 d电子相互作用的spd紧束有闪矿结构的半导体（CuCl的体能带，用形势散射理论方法计算了驰豫的CuCl(110)表面电子结构，给出了表面投影带结构和表面波矢分辨的层态密度，计算结果表明，表面驰豫主要是表面层p-p和p-d的重新杂化而引起的。
反常弛豫的CuCl（110）表面电子态研究
【摘 要】
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采用考虑 d电子相互作用的spd紧束有闪矿结构的半导体（CuCl的体能带，用形势散射理论方法计算了驰豫的CuCl(110)表面电子结构，给出了表面投影带结构和表面波矢分辨的层态密度，计
【机 构】
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河南教育学院物理系,郑州大学物理工程学院
【出 处】
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郑州大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2000年4期
【基金项目】
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河南省教委和河南省科委自然科学基金资助的课题
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