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,Improved interface properties of an HfO2 gate dielectric GaAs MOS device by using SiNx as an interf
【机 构】
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School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 4
【出 处】
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中国物理B（英文版）
【发表日期】
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2004年期
其他文献
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