一种提高单位面积电流密度的VDMOS器件结构

来源 :黑龙江科技信息 | 被引量 : 0次 | 上传用户：leohuo

【摘要】

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针对N＋掺杂区设计了一种提高单位面积电流密度的VDMOS器件结构,新结构中源极N＋掺杂区为梯形结构。该结构减小了元胞的尺寸,提高了单位面积的元胞数量,从而提高了单位面积的电流

【作者】

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刘文辉

【机构】

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西安卫光科技有限公司

【出处】

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黑龙江科技信息

【发表日期】

：

2016年22期

【关键词】

：

VDMOS器件元胞尺寸导通电阻 VDMOS Cell Resistance

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针对N＋掺杂区设计了一种提高单位面积电流密度的VDMOS器件结构,新结构中源极N＋掺杂区为梯形结构。该结构减小了元胞的尺寸,提高了单位面积的元胞数量,从而提高了单位面积的电流密度,减小了VDMOS器件的封装尺寸。

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