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针对界面态密度在禁带中的不均匀分布，并且考虑到碳化硅材料中杂质的不完全离化，分析了界面态电荷对N沟6H碳化硅MOSFET阈值电压和跨导的影响。结果显示界面态密度的不均匀分布不仅使阈值电压增大，而且还会导致器件跨导变低，它是影响SiC MOSFET 特性的一个重要因素。
界面态电荷对6H碳化硅N沟MOSFET阈值电压和跨导的影响
【摘 要】
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针对界面态密度在禁带中的不均匀分布，并且考虑到碳化硅材料中杂质的不完全离化，分析了界面态电荷对N沟6H碳化硅MOSFET阈值电压和跨导的影响。结果显示界面态密度的不均匀分布
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所
【出 处】
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物理学报
【发表日期】
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2004年期
【基金项目】
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国防科技预研基金;
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