一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源

来源 :电子设计工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mercurian88

【摘要】

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基于SMIC0．35μm的CMOS工艺．设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压。通过电压放大器放大得到稳定的

【作者】

：

方圆周凤星张涛张迪

【机构】

：

武汉科技大学,德鑫微电子公司

【出处】

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电子设计工程

【发表日期】

：

2012年24期

【关键词】

：

带隙基准电源抑制比全工艺角低温漂可修调电阻 bandgap voltage reference PSRR ＇ low temperature coef

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基于SMIC0．35μm的CMOS工艺．设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压。通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源．从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变正温度电压的系数，以适应不同工艺下负温度系数的变化，最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadencevirtuoso仿真表明：在27℃下．10Hz时电源抑制比（ISRR）-109dB，10kHz时（esRR）达到-

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