【摘 要】
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本文介绍了利用5MeV电子辐照把硅外延晶体管改造成开关晶体管的一种新方法,实用证明该方法是成功的,可取代传统的掺金工艺。文中报道了用深能级瞬态谱(DLTS)等方法研究电子辐
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本文介绍了利用5MeV电子辐照把硅外延晶体管改造成开关晶体管的一种新方法,实用证明该方法是成功的,可取代传统的掺金工艺。文中报道了用深能级瞬态谱(DLTS)等方法研究电子辐照引入缺陷的性质,证明这些缺陷具有很好的热稳定性;测到了H(0.41)能级。
This paper introduces a new method to transform silicon epitaxial transistors into switching transistors by 5 MeV electron irradiation. The method is proved to be successful and can replace the traditional gold doping process. In this paper, the properties of electron-induced defects introduced by deep level transient spectroscopy (DLTS) are reported. These defects are proved to have good thermal stability. The H (0.41) energy level has been measured.
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