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宽带限幅低噪声放大器设计
宽带限幅低噪声放大器设计
来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:iou820915
【摘 要】
:
设计并制作了一款L-S波段宽带限幅低噪声放大器。测试结果表明,该放大器在1-3GHz工作频带内最大噪声系数NF≤1.4dB,增益≥29dB,带内增益平坦度≤±0.6dB,输入输出驻波比
【作 者】
:
聂星河
郁健
程冰
於晓峰
【机 构】
:
南京电子器件研究所
【出 处】
:
固体电子学研究与进展
【发表日期】
:
2014年5期
【关键词】
:
低噪放
限幅器
宽带
PIN二极管
小型化
low noise amplifier(LNA)
limiter
wide band
PIN diode
m
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设计并制作了一款L-S波段宽带限幅低噪声放大器。测试结果表明,该放大器在1-3GHz工作频带内最大噪声系数NF≤1.4dB,增益≥29dB,带内增益平坦度≤±0.6dB,输入输出驻波比≤1.5,在大功率占空比为10%、脉冲功率100W下正常工作。经过验证该放大器工作性能良好可靠。
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