Co掺杂ZnO纳米棒的电沉积法制备及其光学性能

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:skyzbc
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在Zn(NO3)2和Co(NO3)2溶液中,以柠檬酸作为络合剂,采用阴极恒电位沉积法直接在ITO衬底上制备出纯ZnO和Co掺杂ZnO(ZnO∶Co)纳米棒阵列膜。采用X射线衍射、扫描电镜和能量色散谱对所制备ZnO纳米棒的晶体结构和表面形貌进行了表征,利用光致发光光谱研究了样品的发光性质。结果表明:所制备的ZnO纳米棒呈六角纤锌矿结构,具有沿(002)面择优生长特性,Co掺杂使ZnO纳米棒的直径变细。部分Co2+取代了Zn2+进入ZnO的晶格,掺入量为2.2at%左右。Co掺杂使ZnO的禁带宽度变窄,紫外发射峰产生显著红移。 In the Zn (NO3) 2 and Co (NO3) 2 solutions, pure ZnO and Co-doped ZnO (ZnO: Co) nanocrystals were prepared directly on the ITO substrate using citric acid as the complexing agent by using cathodic potentiostatic deposition Stick array film. The crystal structure and surface morphology of the prepared ZnO nanorods were characterized by X-ray diffraction, scanning electron microscopy and energy dispersive spectroscopy. The luminescent properties of the prepared ZnO nanorods were studied by photoluminescence spectroscopy. The results show that the prepared ZnO nanorods have a hexagonal wurtzite structure and have a preferred growth characteristic along the (002) plane. The diameter of the ZnO nanorods is reduced by Co doping. Part of Co2 + replaces the Zn2 + into the lattice of ZnO doped amount of about 2.2at%. Co doped ZnO narrow bandgap, UV emission peak significant redshift.
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