一种X波段GaAs单片单刀双掷开关

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kyy06
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采用0.2μmGaAsPHEMT工艺设计了一种X波段单刀双掷开关单片集成电路。在片测试结果为8~11GHz范围内,隔离度>30dB,在中心频率9.5GHz能够达到45dB,插损<1.2dB。芯片结构非常简单紧凑,仅用了两个并联的PHEMT管。
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