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针对MOSFET易产生寄生振荡的问题,在分析振荡与驱动电路各参数之间关系的基础上,通过加入合适的驱动电阻来解决该振荡问题,从而保证MOSFET能在高速应用场合的可靠运行。该方法具有实现简单、成本低廉、安全可靠的特点。经过1000W纯正弦波逆变器设计应用,实验波形表明驱动电路的合理性和有效性。
功率MOSFET寄生振荡的研究
【摘 要】
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针对MOSFET易产生寄生振荡的问题,在分析振荡与驱动电路各参数之间关系的基础上,通过加入合适的驱动电阻来解决该振荡问题,从而保证MOSFET能在高速应用场合的可靠运行。该方
【机 构】
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江苏大学江苏镇江212000
【出 处】
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电子设计工程
【发表日期】
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2013年24期
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