RHEED振荡精确测量AlGaAs生长速率研究

来源 :光电子技术与信息 | 被引量 : 0次 | 上传用户：myh8888

【摘要】

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采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaAs,AlAs和AlGaAs时,实现RHEED图像和RHEED强度振荡的实时监测已被证明是一种有效工具.通过RHEED可讨论GaAs表面结构和生长机制,并可以

【作者】

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李林钟景昌张宝顺王勇卢鹏王晓华刘国军

【机构】

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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室

【出处】

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光电子技术与信息

【发表日期】

：

2005年2期

【关键词】

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反射式高能电子衍射仪分子束外延半导体材料 reflection high energy electron diffraction molecular be

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采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaAs,AlAs和AlGaAs时,实现RHEED图像和RHEED强度振荡的实时监测已被证明是一种有效工具.通过RHEED可讨论GaAs表面结构和生长机制,并可以估算衬底温度,更重要的是能计算出材料的生长速率.RHEED强度振荡周期决定生长速率,每一个周期对应一个单层.实验测量GaAs的生长周期为0.82 s,每秒沉积1.22单分子层,AlAs的生长周期为2.35 s,每秒沉积0.43单分子层.

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