垂直位型中一维光子晶体的禁带宽度分析

来源 :大庆师范学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ggy353566
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随着信息技术的飞速发展,基于光子晶体能带理论的功能器件得到了广泛应用,对光子带隙的研究在光子晶体研究中具有深远意义。采用双子格模型考虑TE的传播特点,从一维光子晶体理论分析出发,通过传递矩阵TMM法分析了禁隙特性对其带宽的影响,从而确定工作频段,应用Translight通过设定参数来确定带隙的影响因素与其定量关系,对带隙的变化规律进行分析总结。这为以后深入研究二维光子带隙及应用提供了重要的理论依据。
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