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一种双控制回路低相位噪声CMOS压控振荡器设计
一种双控制回路低相位噪声CMOS压控振荡器设计
来源 :中国集成电路 | 被引量 : 0次 | 上传用户:rwsonny
【摘 要】
:
在集成锁相环中,压控振荡器的输出频率范围要能随所有工艺和工作条件的变化而覆盖所需的频率范围。增大压控振荡器的增益而实现宽调协范围会增加压控振荡器和锁相环的相位噪声
【作 者】
:
陈强
王楠
【机 构】
:
重庆三峡学院应用技术学院,电子科技大学电子工程学院
【出 处】
:
中国集成电路
【发表日期】
:
2008年7期
【关键词】
:
相位噪声
中心频率
频率范围
增益
phase noise center frequency frequency rangegain
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在集成锁相环中,压控振荡器的输出频率范围要能随所有工艺和工作条件的变化而覆盖所需的频率范围。增大压控振荡器的增益而实现宽调协范围会增加压控振荡器和锁相环的相位噪声。在这篇文章中,通过两路控制来得到压控振荡器中心频率可调,实现了非常小的压控振荡器增益。
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