A Novel Investigation on Using Strain in Barriers of 1.3 μm AlGaInAs-InP Uncooled Multiple Quantum W

来源 :理论物理通讯：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lingdujimo

【摘要】

：

<正> In this study we investigate strain effect in barriers of 1.3 μm AlGaInAs-InP uncooled multiple quantum welllasers.Single effective mass and Kohn-Luttinge

【作者】

：

Vahid BahramiYekta Hassan Kaat

【机构】

：

PhotonicsResearchLaboratory（P.R.L）

【出处】

：

理论物理通讯：英文版

【发表日期】

：

2010年9期

【关键词】

：

多量子阱激光器 ALGAINAS 非致冷贸易壁垒应变 INP 漏电流密度方程组求解 multiple quantum well laser semico

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<正> In this study we investigate strain effect in barriers of 1.3 μm AlGaInAs-InP uncooled multiple quantum welllasers.Single effective mass and Kohn-Luttinger Hamiltonian equations have been solved to obtain quantum states andenvelope wave function

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