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用脉冲激光（Nd：YAG激光）沉积技术在硅基上沉积富硅SiO2薄腊（SiOx，x〈2），沉积时氧气压力分别为1．33，2．66，3．99，5．32，6．65，7．98Pa，膜的厚度约为300nm。随后，在氩（Ar）气中1000℃的温度下对沉积的SiOx薄膜进行热退火处理30min，使在SiO2薄膜中生长出硅纳米晶。用光谱分析仪分析其在室温下的光致发光（PL）光谱时发现，随着沉积氧气压力的增强，峰值波长在减小（即蓝移），表明纳米晶硅颗粒在减小；同时，在本研究中的制作条件下，PL强度与沉积氧气压力有较强的依存