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利用杂质分凝效应制备弱P型掺Sb-HgCdTe晶体,测量了样品的电学特性、红外光谱及以掺杂样品作衬底制成的PN结的伏安特性,并与未掺杂P型HgCdTe进行了比较,结果表明用掺Sb-HgCdTe晶体可制作性能良好的光伏探测器。更多还原
掺Sb弱P型Hg1—xCdxTe晶体光电特性研究
【摘 要】
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利用杂质分凝效应制备弱P型掺Sb-HgCdTe晶体,测量了样品的电学特性、红外光谱及以掺杂样品作衬底制成的PN结的伏安特性,并与未掺杂P型HgCdTe进行了比较,结果表明用掺Sb-HgCdT
【机 构】
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同济大学物理系,复旦大学材料所,中国科学院上海技术物理研究所
【出 处】
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红外研究
【发表日期】
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1990年5期
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