【摘 要】
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通过在工业化生产线上研究了PECVD法沉积Si Nx：H薄膜过程中工艺温度和气体流量对其厚度和折射率的影响、工艺气体流量和射频功率对晶体硅太阳能电池光电转换效率、开路电压以
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通过在工业化生产线上研究了PECVD法沉积Si Nx：H薄膜过程中工艺温度和气体流量对其厚度和折射率的影响、工艺气体流量和射频功率对晶体硅太阳能电池光电转换效率、开路电压以及短路电流的影响,最后研究了PECVD对不同类型晶体硅电池的钝化效果。结果表明,随着气体Si H4流量增加,Si Nx：H膜的厚度和折射率上升;随着温度上升,Si Nx：H膜的厚度先上升后下降,折射率无明显变化规律;对于多晶硅太阳能电池,工艺气体NH3与Si H4流量比为11时,光电转换效率最高,随着射频功率从2800W增至4200W,
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