SiC衬底上的蓝光半导体激光器

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日本富士通实验公司已演示了电脉冲氮化镓(GaN)基蓝光半导体激光器的5小时室温运转。该器件做在碳化硅(SIC)衬底上。该激光器的主要特性包括414urn输出对蓝光输出激光器而言.碳化硅(SIC)衬底相对于刚玉有几个优点。由于激光腔反射器可用解理面形成,并且SIC导电.SIC衬? Fujitsu Laboratories Japan has demonstrated a 5-hour RT operation of an electrically pulsed GaN-based blue semiconductor laser. The device is made on silicon carbide (SIC) substrate. The main features of this laser include a 414urn output for a blue output laser. Silicon carbide (SIC) substrates have several advantages over corundum. Since the laser cavity reflector can be cleaved with the formation of surface, and SIC conductive. SIC lining?
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