一种低温漂CMOS带隙基准电压源的设计

来源 :电子器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sttyuanchao

【摘要】

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阐述了一种采用了一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路.该电路采用Chartered0.25 μm N阱CMOS工艺实现.基于HSPICE的仿真结果表明:当温度在-25℃到85℃之间变化时

【作者】

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陈碧罗岚周帅林

【机构】

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东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心

【出处】

：

电子器件

【发表日期】

：

2004年1期

【关键词】

：

带隙参考电压源温度补偿电源抑制比 Band-gap voltage reference Temperature coefficient Power su

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阐述了一种采用了一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路.该电路采用Chartered0.25 μm N阱CMOS工艺实现.基于HSPICE的仿真结果表明:当温度在-25℃到85℃之间变化时该电路输出电压的温度系数为12·10-6/℃.在3.3 V电源电压下的功耗为3.8 mW,属于低温漂、低功耗的基准电压源.

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