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光电耦合对InGaN/GaN量子阱光学性能的影响

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：roger84115

【作 者】

：

陈澜  吴瑾照  龙浩  史晓玲  应磊莹  郑志威  丘志仁 

【出 处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2020年01期

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