【摘 要】
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分析了梯度折射率分别限制单量子阱（GRIN－SCH－SQW）结构的特点以及对大功率半导体激光器特性的影响。利用分子束外延系统生长GaAlAs/GaAs GRIN-SCH-SQW结构，经光荧光谱、X－射线双晶
【机 构】
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长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室130022
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分析了梯度折射率分别限制单量子阱（GRIN－SCH－SQW）结构的特点以及对大功率半导体激光器特性的影响。利用分子束外延系统生长GaAlAs/GaAs GRIN-SCH-SQW结构，经光荧光谱、X－射线双晶衍射、和载流子浓度测试，结果表明，该结构各参数均满足设计要求。应用此结构制成激光器阵列，室温准连续输出功率达58W（t=200μs，f=50Hz），峰值波长为808nm。
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