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评述了30年前第一批用中子嬗变掺杂硅单晶(即无条纹硅)制造高电压、大电流整流管和晶闸管的报道。由此介绍硅材料的中子嬗变掺杂技术原理、发展进程，指出NTD硅的实用化成为电力半导体器件向大电流(大直径)、高电压方向发展的一个重要突破口。
中子嬗变掺杂硅（NTD—Si）的实用化是电力半导体器件发展的突破口之一
【摘 要】
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评述了30年前第一批用中子嬗变掺杂硅单晶(即无条纹硅)制造高电压、大电流整流管和晶闸管的报道。由此介绍硅材料的中子嬗变掺杂技术原理、发展进程，指出NTD硅的实用化成为电
【机 构】
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北京电力电子新技术研究开发中心
【出 处】
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电力电子
【发表日期】
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2003年6期
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