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采用固相反应工艺制备了Sm^3＋掺杂层状结构无铅Bi4-xSmxTi3O12（x=0．00，0．25，0．50，0．75，1．00，1．25）介电陶瓷。利用XRD、SEM等测试方法研究了Sm掺杂量、烧结温度和保温时间对Bi4-xSmxTi3O12（BST）陶瓷晶体结构及电性能的影响。结果表明：所制备的Bi4-xSmxTi3O12陶瓷均具有单一正交相结构，BST陶瓷表面晶粒的显微形貌表现为随机排列的棒状结构。样品的铁电性能测试表明，Sm^3＋施主掺杂明显降低了BIT的电导率，随着Sm^3＋含量的增加，Sm^