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本文通过水热法在u-GaN（undoped GaN）/Al2O3和p-GaN/Al2O3衬底上制备了ZnO纳米棒阵列。利用X射线衍射仪（XRD）、高分辨X射线衍射仪（HRXRD）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）、原子力显微镜（AFM）和光致发光谱（PL）对样品进行表征,研究在无种子层和金属催化剂情况下u-GaN/Al2O3和p-GaN/Al2O3衬底对ZnO纳米棒生长的影响。结果表明,在u-GaN和p-GaN上生长的ZnO纳米棒均为六方纤锌矿结构。在p-GaN上生长的ZnO纳米棒直径较细且密度更大,这