TiN栅及抬高源漏的薄膜全耗尽SOI CMOS器件的模拟研究

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：qiuxiang8288

【摘要】

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对0.25 μm TiN栅及抬高源漏的薄膜全耗尽SOI CMOS器件进行了模拟研究.由于TiN栅具有中间禁带功函数,在低的工作电压下,NMOS和PMOS的阈值电压都得到了优化.随硅膜厚度的减小,

【作者】

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连军海潮和

【机构】

：

中国科学院微电子研究所

【出处】

：

微电子学

【发表日期】

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2005年1期

【关键词】

：

FDSOI CMOS 中间禁带功函数抬高源漏结构

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对0.25 μm TiN栅及抬高源漏的薄膜全耗尽SOI CMOS器件进行了模拟研究.由于TiN栅具有中间禁带功函数,在低的工作电压下,NMOS和PMOS的阈值电压都得到了优化.随硅膜厚度的减小,采用源漏抬高结构,减小了源漏串联电阻.采用抬高源漏结构的NMOS和PMOS,其饱和电流分别提高了36%和41%.由于采用源漏抬高能进一步降低硅膜厚度,短沟道效应也得到了抑制.

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