【摘 要】
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随着半导体集成电路加工工艺的不断进步加速了对场致发射体的研制进程,而低压大电流场致发射阴极阵列的出现又推进了真空微电子器件的发展.微型真空管的工作原理与传统的真空
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随着半导体集成电路加工工艺的不断进步加速了对场致发射体的研制进程,而低压大电流场致发射阴极阵列的出现又推进了真空微电子器件的发展.微型真空管的工作原理与传统的真空管相同,都是利用电子受电场作用在真空中运动所产生的一系列现象来工作的.微型真空管采用场致发射体作电子源,电子从阴极到阳极的距离d比它与残余气体分子相撞的平均自由程λ_e小得多,即d【【λ_e可以认为电子在真空中行进,所以这类器件不需要工作在极高的真空中.
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