【摘 要】
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采用射频反应磁控溅射沉积了ZnO薄膜,然后在硫蒸气中于500℃硫化得到ZnS薄膜。用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、紫外-可见透射光谱、俄歇电子能谱（AES）和多普勒展宽谱对
【机 构】
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武汉科技大学应用物理系,冶金工业过程系统科学湖北省重点实验室
【基金项目】
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湖北省教育厅科研计划重点项目（D20121109）,武汉科技大学大学生科技创新基金研究项目（11ZRA119）,冶金工业过程系统科学湖北省重点实验室开放基金项目（C201022）
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采用射频反应磁控溅射沉积了ZnO薄膜,然后在硫蒸气中于500℃硫化得到ZnS薄膜。用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、紫外-可见透射光谱、俄歇电子能谱（AES）和多普勒展宽谱对薄膜进行了表征。ZnO硫化转变依赖于硫化时间。当硫化时间小于18 h时,ZnO只能部分转变为ZnS。只有当硫化时间等于或大于18h时,才能完全生成六方相ZnS薄膜,沿（0 0 10）晶面择优生长,硫化前后薄膜晶粒尺寸有显著变化。所得ZnS薄膜光吸收边宽化、光透过率低,ZnS薄膜带隙为3.54～3.66 eV。
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