【摘 要】
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随着半导体技术的不断发展,集成电路的互连线尺寸不断减小,Cu-CMP已经成为深亚微米工艺中的重要技术。分析了由于研磨头固定环上的沟槽堵塞而造成的Cu-CMP后Cu金属坑状缺陷的
【机 构】
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上海交通大学微电子学院,中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
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随着半导体技术的不断发展,集成电路的互连线尺寸不断减小,Cu-CMP已经成为深亚微米工艺中的重要技术。分析了由于研磨头固定环上的沟槽堵塞而造成的Cu-CMP后Cu金属坑状缺陷的产生机理,使用应用材料公司生产的Mirra Mesa Intergrated CMP System工艺设备,利用该设备上的研磨头喷头和芯片吸附装置上的平台冲洗部件,对采用双大马士革Cu工艺的图形化200mm实验芯片在Cu-CMP后设计了不同条件下高压力的去离子水冲洗芯片固定环的实验,给出一种优化了的研磨头清洗方案,从而减少了Cu-C
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