【摘 要】
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研究了1．06μmInGaAs／InGaAsP量子阱半导体激光器厘米bar模块的温度特性，测试分析了该模块的输出光功率、阈值电流、转换效率和光谱随注入电流及管芯温度变化的特性。结果表明，器
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
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研究了1．06μmInGaAs／InGaAsP量子阱半导体激光器厘米bar模块的温度特性，测试分析了该模块的输出光功率、阈值电流、转换效率和光谱随注入电流及管芯温度变化的特性。结果表明，器件在15～55℃范围内所测的输出光功率由40．7w降低到29．4w，阈值电流由9．29A升高到17．24A，转换效率由54．22％降低到37．55％，光谱漂移为0．37nm／％，特征温度为68．6K。实验结果表明，为保持器件性能的稳定，在实际应用过程中应该使器件的温度控制在15～25℃范围内。
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