【摘 要】
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采用冷压陶瓷技术制备(Ba1-xHox)(Ti1-xHox)O3(简称BHTH)陶瓷.通过X射线衍射(XRD)、电子顺磁共振(EPR)和介电温谱技术研究了BHTH陶瓷的结构、位占据和介电性质.结果表明:Ho^3
【机 构】
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吉林化工学院材料科学与工程研究中心
【基金项目】
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吉林省科技发展计划项目(20160101290JC).
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采用冷压陶瓷技术制备(Ba1-xHox)(Ti1-xHox)O3(简称BHTH)陶瓷.通过X射线衍射(XRD)、电子顺磁共振(EPR)和介电温谱技术研究了BHTH陶瓷的结构、位占据和介电性质.结果表明:Ho^3+离子在BaTiO3陶瓷中能够形成自补偿模式,且具有轻微的Ba位占据倾向.在BHTH陶瓷中,固溶度为x=0.03.BHTH陶瓷的介电行为表现出一个反常现象:随着x从0.01增至0.03,居里温度TC向高温移动,即TC从128℃升到131℃.BHTH晶体结构的四方度(c/a)随着x增加是TC向高温移动
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