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采用脉冲激光沉积(PLD)法分别在硅和玻璃基片上沉积了NiZn铁氧体多晶薄膜.实验表明:基片温度、氧气压以及热处理对薄膜的沉积速率、磁性能有很大影响.
脉冲激光沉积（PLD）法制备NiZn铁氧体多晶薄膜研究
【摘 要】
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采用脉冲激光沉积(PLD)法分别在硅和玻璃基片上沉积了NiZn铁氧体多晶薄膜.实验表明:基片温度、氧气压以及热处理对薄膜的沉积速率、磁性能有很大影响.
【机 构】
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无锡职业技术学院,苏州大学物理系
【出 处】
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磁性材料及器件
【发表日期】
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2001年6期
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