【摘 要】
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利用传输矩阵法对不同入射介质的GaN基分布布拉格反射器（DBR）进行了反射谱的理论分析。计算表明，入射介质的折射率与低周期DBR反射率呈二次函数关系，与高周期DBR反射率近似线性关
【机 构】
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华南师范大学光电子材料与技术研究所
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利用传输矩阵法对不同入射介质的GaN基分布布拉格反射器（DBR）进行了反射谱的理论分析。计算表明，入射介质的折射率与低周期DBR反射率呈二次函数关系，与高周期DBR反射率近似线性关系。根据这些特点，推导出估算DBR在LED器件中的实际反射率公式。分析了从空气和Al0．4Ga0．5In0．1N入射介质下不同GaN基DBR结构的反射光谱差异。为减弱入射介质对DBR反射谱的影响以及改善材料结构的质量，设计了半混合GaN基DBR结构。分析指出，半混合DBR在材料结构生长和光谱方面比传统DBR更有优势。
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