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用射频共射复合靶技术和Ｎ２气保护下高温退火的后处理方法，在Ｓｉ衬底上制备出了碳化硅薄膜，通过傅里叶变换红外光谱、室温光致发光谱、电阻率－温度关系谱、Ｘ射线光电子谱等测量手段，研究了淀积膜和不同温度退火薄膜的结构、电学和光致发光等性质。
射频共溅射SiC薄膜的制备和特性研究
【摘 要】
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用射频共射复合靶技术和Ｎ２气保护下高温退火的后处理方法，在Ｓｉ衬底上制备出了碳化硅薄膜，通过傅里叶变换红外光谱、室温光致发光谱、电阻率－温度关系谱、Ｘ射线光电子谱等测量手段，研究
【机 构】
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兰州大学物理科学与技术学院
【出 处】
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兰州大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1999年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金!（69676002）
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