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介绍了研制Ⅱ－Ⅵ族半导体激光器方面的一个新途径－－自组织生长ＺｎＯ量子点微晶结构、ＺｎＯ已经实现了室温下光泵激发的受激发射，它将是继Ⅱ－Ⅵ族硒化物、Ⅲ－Ⅴ经物之后的又一种半导体激光器材料。
Ⅱ—Ⅵ族半导体激光器的新材料——ZnO量子点
【摘 要】
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介绍了研制Ⅱ－Ⅵ族半导体激光器方面的一个新途径－－自组织生长ＺｎＯ量子点微晶结构、ＺｎＯ已经实现了室温下光泵激发的受激发射，它将是继Ⅱ－Ⅵ族硒化物、Ⅲ－Ⅴ经物之后的又一种半导体激光器材
【机 构】
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复旦大学应用表面物理国家重点实验室
【出 处】
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物理
【发表日期】
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1999年1期
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