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研究了纳米器件在空间轨道中质子引起单粒子翻转(SEU)率的预计方法。以65nmSRAM为样品，利用加速器进行了质子和重离子单粒子翻转试验，分别基于质子试验数据和重离子试验数据，预计了空间轨道中质子引起的单粒子翻转率。结果表明，用重离子试验数据预计的质子单粒子翻转率比用质子试验数据预计的低1.5个数量级。研究认为，为了评估纳米器件单粒子翻转敏感性，需进行质子单粒子翻转试验，并基于质子试验数据进行在轨质子翻转率预计。