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Vishay Intertechnology推出40V和60VN沟道TrenchFET功率MOSFET SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK SO-8封装，具有较低的导通电阻，以及较低的导通电阻与栅极电荷乘积，即优值系数。
SiR640DP/662DP：功率MOSFET
【摘 要】
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Vishay Intertechnology推出40V和60VN沟道TrenchFET功率MOSFET SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK SO-8封装，具有较低的导通电阻，以及较低的导通电阻与栅极电荷
【出 处】
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世界电子元器件
【发表日期】
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2011年5期
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